Управление кристаллической фазой нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V путем за счет изменения морфологии ростового интерфейса

Цель работы:Получение новых фундаментальных знаний о морфологии и кристаллической фазе III-V ННК и создание новых методов управления ими за счет контролируемого изменения условий эпитаксиального роста.Ожидаемые результаты:1) Создана новая теория нестационарной морфологии ростового интерфейса III-V ННК, выращиваемых методом МПЭ по механизму ПЖК с различными катализаторами (Au, Ga, In). 2) Проведены работы по синтезу GaAs, InAs и других III-V ННК, количественному анализу и теоретическому описанию колебаний наклонной фасетки в III-V ННК в зависимости от условий роста и контактного угла капли катализатора. 3) Установлена взаимосвязь между морфологией ростового интерфейса (наличие или отсутствие наклонной фасетки, характер ее осцилляций) с кристаллической фазой ННК..4) Создан новый метод контроля кристаллической структуры III-V ННК за счет управления контактным углом капли. 5) Созданы гетероструктурные III-V ННК в системах материалов InGaAs/GaAs, GaAs/AlGaAs, InAs/InP с узкими гетероинтерфейсами, в том числе - на подложках кремния. 6) Проведены исследования процессов легирования III-V ННК, что особенно актуально для создания приборов с электрической накачкой.