Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения

07.10.2020

В ходе выполнения работ по проекту были получены экспериментальные образцы двумерных халькогенидов переходных металлов (TixZr1-xS3) MoS2, VS2 и SnS2. Подобраны оптимальные режимы получения тонких кристаллов серии сульфидов переходных металлов методами химического осаждения из газовой фазы и газотранспортных реакций в вакууме. Кроме того были исследованы физико-химические, оптические и электрические свойства полученных ранее двумерных материалов (TiS3, ZrS3, графеновые наноленты).Полученные результаты являются важными для управления характеристиками электронных устройств на основе двумерных наноматериалов, которые перспективны в микроэлектронике, а также энергоэффективных приложениях, включая фотовольтику.

ГРНТИ

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

Ключевые слова

Двумерные халькогениды переходных металлов

сульфиды переходных металлов

химическое осаждение из газовой фазы

газотранспортные реакции в вакууме

Детали

Начало

20.04.2018

Окончание

20.04.2020

№ контракта

074-02-2018-288

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Исполнитель

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"

Бюджет

Средства федерального бюджета: 12 000 000 ₽

Похожие документы

Двумерные материалы и гетероструктуры на их основе для создания новых типов наноустройств и фотовольтаики третьего поколения

1.000

НИОКТР

Наноразмерные гетероструктуры на основе новых функциональных материалов для наноэлектроники

0.941

НИОКТР

Двумерные полупроводники, такие как MoS2, WS2, представляют собой новое семейство материалов с широким потенциалом применения в нано- и оптоэлектронике. Дихалькогениды переходных металлов (MoS2, WS2, WSe2, MoSe2)

0.940

НИОКТР