Теоретико - экспериментальные исследование полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей высокомощного лазерного излучения видимого иинфракрасного диапазонов спектра на основе комбинации фосфидных и арсенидных твердых растворов.

Проект направлен на проведение комплексного теоретико-экспериментального исследования полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей лазерногоизлучения высокой мощности диапазона 0.5 - 1.6 мкм на основе материалов AlGaInP/GaAs и AlInGaAs/InP. Структуры лазерных фотопреобразователей востребованы для целого ряда применений: эффективная передача энергии на большие расстояния по воздуху или с использованием оптоволокна, дистанционное обеспечение энергией космических и беспилотных летательных аппаратов различного назначения, подзарядка подкожных датчиков и стимуляторов и др. Для разработки структур фотоэлектрических преобразователей планируется использовать широкий спектр, как теоретических подходов, так и оригинальных аналитических и измерительных методик. В качестве эпитаксиальной технологии будет использован метод МОС- гидридной эпитаксии. Фундаментальность Проекта состоит в том, что при работе фотоэлектрических преобразователей в режиме сверхвысокой накачки лазерным излучением возникает ряд новых фундаментальных потерь, которые могут значительно ограничивать их утилитарные характеристики. В результате выполнения Проекта будут определены пути оптимизации структур фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения и созданы приборы с КПД до 50% для длин волн диапазона 0.5 – 1.6 мкм при плотности падающей мощности до 10 Вт/см2.