НИОКТР
№ АААА-А20-120110990027-0Изготовление и исследование алмазных детекторов ионизирующих излучений
09.11.2020
Работа посвящена изготовлению алмазных детекторов ионизирующих излучений. Должны быть изготовлены детекторы из слоистой монокристаллической структуры: HPHT подложка типа IIb и высокочистый CVD слой. Должны быть проведены исследования созданных детекторов с использованием электрофизических и оптических методов. Yаучно-технические результаты предназначены для использования при выполнении работ (ПНИЭР) по теме: «Разработка технологии и аппаратуры для получения сверхчистых монокристаллов алмаза CVD методом и процессов их легирования для использования в фотонике и в микроэлектронике в виде высокотемпературных полупроводников» (шифр 2018-14-000-0001-241). Экспериментальные образцы алмазных детекторов ионизирующих излучений предназначены для использования их в спектрометрии ядерного излучения.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
монокристалл алмаза
метод температурного градиента
метод осаждения из газовой фазы
полупроводник
барьерная структура
магнетронное напыление
Детали
Начало
23.09.2020
Окончание
28.10.2020
№ контракта
Р73-2020/647
Заказчик
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Исполнитель
федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов"
Бюджет
Средства хозяйствующих субъектов: 1 300 000 ₽
Похожие документы
Оптимизация технологических режимов изготовления алмазных кристаллов и контактов, изготовление и испытание экспериментальных образцов с трехмерной архитектурой электродов и детекторов для регистрации медленных нейтронов
0.938
ИКРБС
Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник
0.931
НИОКТР
«Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2022 года»
0.926
НИОКТР
Разработка экспериментальных образцов детекторов и фотовольтаических преобразователей на основе синтетического алмазного материала
0.925
ИКРБС
"Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2022 года". (Промежуточный, этап 1)
0.924
ИКРБС
Изготовление и испытания экспериментальных образцов эпитаксиальных слоев алмаза. Разработка технологических решений безопасного получения высокоактивного радиоизотопа никель-63.
0.921
ИКРБС
Разработка детекторов ионизирующего излучения на низко-дислокационных монокристаллах алмаза, выращиваемых из газовой фазы, с высокой эффективностью сбора зарядов
0.921
НИОКТР
Испытание образцов детекторов и фотовольтаических преобразователей. Обобщение и оценка результатов исследований
0.921
ИКРБС
Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник. Этап 2021 год
0.917
НИОКТР
Отчет о НИОКР «Разработка инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник- проводник. Этап 2023-2024 годов» Этап 4 (заключительный)
0.916
РИД