Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти

Одним из самых быстро развивающихся сегментов рынка информационных технологий является разработка и производство устройств энергонезависимой памяти. Настоящий проект направлен на комплексное исследование физических механизмов, лежащих в основе двух альтернативных концепций энергонезависимой памяти, именно, сегнетоэлектрической памяти на основе тонкопленочных слоев легированного HfO2, и резистивной (мемристорной) памяти на основе функциональных слоев оксидов переходных металлов. В результате его выполнения должны быть построены модели, связывающие различные функциональные параметры этих перспективных устройств памяти с их физическими параметрами, что позволит решить критические проблемы, препятствующие коммерциализации одной или обеих концепций встраиваемой энергонезависимой памяти.