Разработка технологии формирования слоев кубического карбида кремния высокого структурного совершенства-

Известно, что для выращивании эпитаксиальных слоев 3C-SiC используются две технологии – рост на подложках кремния и рост на подложках гексагональных политипов SiC. В первом случае, из-за низких температур роста, ограничиваемых температурой плавления Si подложки, в слое образуется большое количество дислокаций. Эти структурные дефекты не позволяют изготавливать на основе данных эпитаксиальных слоев полупроводниковые приборы. При росте на подложках гексагональных политипах дислокаций образуются мало, но возникают двойниковые границы как результат эпитаксии кубического материала на гексагональном. Эти границы двойников, также как и дислокации в первом случае, не дают использовать данные пленки для изготовления приборов. В ходе выполнения данного проекта предполагается оптимизировать технологию роста эпитаксиальных плёнок кубического карбида кремния (3C-SiC). Для этого изначально затравка – тонкая пленка 3C-SiC будет выращиваться на кремнии. Далее это бездвойниковая пленка будет переносится на подложку из гексагонального карбида кремния и разращиваться методом сублимационной эпитаксии. Высокие температуры роста не позволят образовываться большой плотности дислокаций. В результате мы должны получить пленки 3C-SiC высокого структурного совершенства – без двойниковых границ и с низкой плотностью структурных дефектов. Структурное совершенство полученных образцов будет исследовано различными экспериментальными методами. На основе полученных пленок будут изготовлены экспериментальные образцы диодов Шоттки и p-n-структур, проведено исследование их вольт-амперных характеристик и определена величина токов утечек