Разработка технологического процесса изготовления сложных бинарных фотошаблонов, включая проектирования дизайна, с элементами компенсации оптической близости ОРС (OpticalProximityCorrection) для производства ИС с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (ReticleEnhancementTechnique)

В рамках ОКР должны быть решены следующие задачи: - разработан базовый технологический процесс проектирования дизайна сложных бинарных ФШ с элементами ОРС; - разработан технологический процесс подготовки управляющей информации для технологического автомата (электронно-лучевого генератора изображения-ЭЛГИ); - разработана РКД на фотошаблон; - разработан базовый технологический маршрут и процесс изготовления ФШ с элементами ОРС; - разработан технологический процесс аттестации ФШ на соответствие проектным данным; - изготовлены опытные образцы фотошаблонов с элементами оптической коррекции; - разработан стенд аттестации топологического рисунка фотошаблона на соответствие проектным данным; - разработан стенд подготовки маскирующего покрытия в обеспечение технологического процесса изготовления фотошаблона; - выполнен анализ существующих технологических процессов переноса изображения на полупроводниковую пластину; - разработан технологический процесс аттестации качества изображения топологического рисунка с элементами ОРС на полупроводниковой пластине; - изготовлен опытный образец полупроводниковой пластины. Технологический процесс изготовления сложных ФШ с ОРС должен обеспечивает: - проектирование дизайна ФШ, включая элементы ОРС; формат входных данных информации - DXF, GDSII; - подготовку управляющей информации для электронно-лучевого генератора изображения (ЭЛГИ) с целью формирования топологического рисунка ИС в маскирующем слое ФШ по заданной управляющей информации. Формат выходных данных информации - DXF, GDSII; - физико-химический процесс обработки экспонированных ФШ; - изготовление опытных образцов ФШ с ОРС; - аттестацию ФШ на соответствие техническим требованиям и проектным данным; - устранение недопустимых дефектов маскирующего покрытия; - подготовку маскирующего покрытия ФШ (в т.ч. перед монтажом пелликла).