НИОКТР
№ 122041400208-8

1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.

16.06.2021

Предполагается исследование процессов синтеза и создание методик получения прозрачных проводящих структур на основе широкозонных оксидов металлов для систем отображения информации и тонкопленочных солнечных преобразователей, селективных фотоприемников. Будут исследованы процессы формирования низкоразмерных нестехиометричных межзеренных фаз в наноструктурированных оксидных слоях, синтезированных методом магнетронного распыления, а также установлены механизмы протекания тока в многофазных легированных оксидных слоях с заданной структурой, элементным и фазовым составом. Построение соответствующих моделей формирования оптически-прозрачных структур, отличающихся высокой электропроводностью, должно стать основным научным результатом проекта, а уточнение состава материалов и технологических параметров синтеза новых функциональных слоев, отвечающих современным требованиям разработчиков элементов прозрачной электроники, – ее практическим результатом.Предполагаются разработки процессов формирования упорядоченных массивов вискеров на основе ZnO с использованием матричного метода, кристаллизацией из газовой фазы на подложки с регулярными массивами наночастиц катализатора, а также различных композитов на основе ZnO. Назначение таких cистем на основе ZnO -покрытия для многофункциональных бортовых систем отображения информации и солнечных элементов с минимальными величинами коэффициентов отражения света от поверхности, а также элементов фотоники и сенсорики, что предполагает проведение комплекса оптических, спектроскопических и электрофизических исследований. Предполагается исследование процессов синтеза и создание методик получения тонких пленок на основе соединений типа ZnO, V2O5, SmS, ScN, изучение особенностей термоэлектричества и контактных явлений, построение моделей возникновения термоЭДС при нагревании этих материалов в низкоградиентном тепловом поле с учетом гетерогенности пленок по составу, лигатуре, валентному состоянию металлов. Макетирование термоэлектрических устройств.Проведение экспериментов, разработка моделей и выявление механизмов долговременных изменений и релаксации физических свойств (электрических, механических, оптических) диамагнитных кристаллов после кратковременного воздействия на них постоянного или импульсного магнитного полей. Планируется: получениие новых или модифицированных материалов на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов,с улучшенными потребительскими характеристиками для термоэлементов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники;- лабораторные методики синтеза указанных материалов;- новые знания в области кристаллографии, физики твердого тела и фотоники как результат комплексных исследований полученных материалов с учетом условий их синтеза.
ГРНТИ
29.31.21 Оптика твердых тел
29.19.31 Полупроводники
29.19.09 Тепловые свойства твердых тел
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Ключевые слова
фотопроводимость
матричный метод
эпитаксия
люминесценция
расплавная кристаллизация
магнетронное распыление
спектроскопия
прозрачный электрод
Детали

Начало
01.01.2022
Окончание
31.12.2024
№ контракта
075-01025-22-00
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное учреждение  «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Росийской академии наук»
Бюджет
Средства федерального бюджета: 71 113 600 ₽
Похожие документы
Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями.
0.995
НИОКТР
Функциональные слои перспективной элементной базы микроэлектронных систем, полученные методом низкотемпературного синтеза слоёв оксидов металлов в квазиравновесных условиях
0.952
НИОКТР
1.10. Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями
0.943
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники.
0.942
ИКРБС
Развитие представлений о процессах синтеза и свойствах наноразмерных материалов и гетероструктур для электроники и фотоники
0.937
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.936
ИКРБС
Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
0.936
НИОКТР
Развитие методов синтеза и подходов к созданию элементов устройств сенсорики и плазмоники на основе тонкопленочных структур и наноматериалов из оксида цинка и диоксида ванадия
0.936
НИОКТР
Функциональные материалы для микроэлектроники и фотоники
0.936
НИОКТР
1.10.Создание материалов для термоэлектрических генераторов, элементов прозрачной электроники, сенсорики, нанофотоники на основе широкозонных полупроводниковых оксидов и халькогенидов, модификация их реальной структуры и свойств внешними воздействиями
0.936
ИКРБС