Новая компонентная база сверхвысокочастотной электроники на основе нелинейных диэлектриков

В данной работе для получения СВЧ структур на основе сегнетоэлектрических пленок планируется использовать авторские технологические подходы, в которых изменение технологических условий в процессе осаждения многокомпонентной пленки позволяет управлять ее структурой и, таким образом, получать покрытия с переменными по толщине свойствами (параметрами решетки, компонентным и фазовым составом). Это дает возможность согласовывать кристаллические решетки СЭ пленок и подложек из различных материалов, минимизировать толщину дефектных слоев на границах раздела и, следовательно, управлять такими электрофизическими характеристиками сегнетоэлектрических структур, как нелинейность, СВЧ потери, быстродействие, температурная зависимость свойств, что, в свою очередь, позволяет получить материал с качественно новыми параметрами, оптимальными для СВЧ применений. Основными достоинствами СВЧ устройств на основе СЭ пленок будут являться высокие уровни допустимой рабочей мощности, низкие СВЧ потери, высокое быстродействие и простота технологии изготовления элементов.