НИОКТР
№ 121101300018-6Экспериментальная апробация методик измерения базовых характеристик MESFET транзисторов для силовой электроники, выполненных на основе широкозонных полупроводниковых структур
12.10.2021
В результате проведения НИР будут изготовлены тестовые структуры дискретных MESFET-транзисторов и микросборок для экспериментальной апробации Методик измерения; будет изготовлен макетный образец чувствительного элемента на основе кремниевого кристалла.
ГРНТИ
47.03.05 Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
47.09.29 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
базовые характеристики
методика
экспериментальная апробация
протокол
тестовые структуры
Детали
Начало
05.08.2021
Окончание
30.09.2021
№ контракта
01 ИЦИС/21
Заказчик
Общество с ограниченной ответственностью «Фотис»
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЛЕСОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Г.Ф. МОРОЗОВА"
Бюджет
Средства хозяйствующих субъектов: 500 000 ₽
ИКРБС
Похожие документы
Экспериментальная апробация методик измерения базовых характеристик MESFET транзисторов для силовой электроники, выполненных на основе широкозонных полупроводниковых структур
0.928
ИКРБС
Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании.
0.891
НИОКТР
Разработка технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT
0.889
ИКРБС
ИЗМЕРЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕСТОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И РАЗРАБОТКА SPICE МОДЕЛЕЙ КМОП ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ МИКРОСХЕМ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ» С ТОЛЩИНОЙ АКТИВНОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ 600 НМ
0.888
ИКРБС
Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем
0.887
ИКРБС
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.886
ИКРБС
Теоретические и экспериментальные исследования технологических операций
0.886
ИКРБС
Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании
0.886
ИКРБС
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.882
ИКРБС
ОТРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕЙСТВУЮЩИХ МАКЕТОВ МОЩНЫХ ЧИП-ТИРИСТОРОВ
0.882
ИКРБС