Синтез и исследование полупроводниковых соединений А3В5 и кванторазмерных структур на их основе для перспективных приборов оптоэлектроники и фотовольтаики нового поколения

Полупроводниковые соединения типа А3В5 (AlGaInPAsSb), а в последнее время нитриды AlGaInN и квантовые точки на их основе, достаточно хорошо зарекомендовали себя в качестве базовых материалов в различных приборах оптоэлектроники и фотовольтаики, которые могут использоваться для создания фотонных компьютеров, оптических датчиков, лазеров, светодиодов, высокоэффективных солнечных элементов и других устройств нового поколения на порядок с лучшими показателями, что является актуальной задачей микро- и наноэлектроники. Получение приборов нового поколения на основе синтезированных полупроводниковых твердых растворов А3В5, а также с использование кванторазмерных структур на их основе позволит значительно повысить производительность компьютеров, а также увеличить чувствительность и расширить спектральные параметры оптоэлектронных приборов, а также повысить КПД солнечных элементов до 40-50 %, что повышает уровень значимости исследований. Научная новизна исследования состоит в том, что предполагается использовать такие инновационные технологии для синтеза соединений А3В5 как градиентная эпитаксия, ионно-лучевые технологии, лазерная абляция и др. которые практически не используются в промышленности для получения таких полупроводников. В результате проведения исследований ожидается нахождение следующих результатов: нахождение зависимости состава, параметра решетки (а), ширины запрещенной зоны (Eg) и др. параметров соединений А3В5 от технологических условий синтеза этих соединений, а также изготовление приборных структур и исследование их свойств.