НИОКТР
№ 121112900100-8

Импульсные однофотонные источники с электрической накачкой на основе центров окраски в карбиде кремния

10.11.2021

Проект направлен на разработку истинно однофотонных источников излучения с электрической накачкой на основе центров окраски в широкозонных полупроводниках генерирующих одиночные фотоны по требованию при комнатной температуре для задач квантовых коммуникаций, квантовых вычислений и метрологии. В рамках проекта будет впервые исследована генерация однофотонных импульсов, т.е. оптических импульсов содержащих строго один фотон, центрами окраски в карбид кремниевых p-i-n диодах при возбуждении диодов короткими электрическим импульсами. Центры окраски в карбиде кремния на сегодня представляются наиболее перспективной платформой для создания ярких однофотонных источников излучения с электрической накачкой. Уникальные свойства этих точечных дефектов в кристаллической решетке позволяют работать с ними при комнатной и даже более высоких температурах, что выгодно отличает их от других квантовых систем, которые требуют криостаты и холодильники. Они характеризуются высокой фотостабильностью и способны излучать более 10^7 фотонов в секунду при электрической накачке, если эти дефекты создать в i-область карбид кремниевого p-i-n диода. Яркость этих излучателей более чем на порядок превосходит все другие известные однофотонные излучатели при комнатной температуре и электрической накачке. Однако на сегодняшний день проводились исследования только по стационарному возбуждению центров окраски постоянным электрическим током. Несмотря на то, что они дают однофотонное излучение, фотоны генерируются в случайные моменты времени, что не подходит для большинства задач. На практике обычно требуется генерировать одиночные фотоны по требованию. Иными словами однофотонный источник должен генерировать фотоны в заданные моменты времени, которые обычно определяются путем подачи на однофотонный источник сигнала. В случае электрической накачки центра окраски это равносильно генерации однофотонных оптических импульсов при импульсном электрическом возбуждении. Данный режим ранее не рассматривался ни теоретически, ни экспериментально. Именно на исследование возможности генерировать одиночные фотоны по требованию при электрической накачке и направлен данный проект.
ГРНТИ
29.31.23 Люминесценция
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
генерация одиночных фотонов по требованию
квантовая оптоэлектроника при комнатной температуре
квантовая криптография
элементная база квантовых компьютеров
центры окраски
наноразмерные диоды
электролюминесценция
электрическая накачка
однофотонное излучение
Однофотонный источник
Детали

Начало
29.07.2021
Окончание
30.06.2023
№ контракта
21-79-00215
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 000 000 ₽
Похожие документы
Импульсные однофотонные источники с электрической накачкой на основе центров окраски в карбиде кремния (этап 1, промежуточный)
0.970
ИКРБС
Импульсные однофотонные источники с электрической накачкой на основе центров окраски в карбиде кремния
0.956
ИКРБС
Высокоэффективные однофотонные источники излучения с электрической накачкой на основе центров окраски в алмазе и карбиде кремния
0.950
НИОКТР
Центры окраски в легированном алмазе для ярких однофотонных источников излучения с электрической накачкой
0.923
НИОКТР
Центры окраски в легированном алмазе для ярких однофотонных источников излучения с электрической накачкой
0.923
НИОКТР
Однофотонные источники излучения на основе полупроводниковых наноструктур с электрической накачкой
0.919
НИОКТР
Высокоэффективные однофотонные источники излучения с электрической накачкой на основе центров окраски в алмазе и карбиде кремния (этап 1, промежуточный )
0.919
ИКРБС
Разработка сверхъярких однофотонных источников с электрической накачкой для квантовых коммуникаций и вычислений
0.918
НИОКТР
Высокоэффективные однофотонные источники излучения с электрической накачкой на основе центров окраски в алмазе и карбиде кремния (этап 3, заключительный)
0.917
ИКРБС
Высокоэффективные однофотонные источники излучения с электрической накачкой на основе центров окраски в алмазе и карбиде кремния (этап 2, промежуточный )
0.910
ИКРБС