Разработка новой технологии изготовления и создание сверхпроводниковых наногетероструктур с прослойками из оксидов, нитридов и топологических изоляторов

Проект направлен на создание технологии и технологической базы для сверхпроводниковой наноэлектроники. Для достижения запланированных результатов проекта в процессе работы у российского участника будет оборудована технологическая чистая комната для изготовления субмикронных туннельных наноструктур. Будет разработана технология изготовления и прототип СВЧ сквид усилителя бегущей волны гигагерцового диапазона. Будет разработана топология СИНИС детектора. Будут разработаны гибридные гетероструктуры, содержащие границы разделов (интерфейсы) между купратным сверхпроводником и материалом с высокой энергией спин-орбитального взаимодействия. Совместно с партнерами из Швеции будет разработана и реализована технология изготовления туннельных структур на основе пленок ниобия с использованием магнетронного распыления и прямой электронной литографии, технология создания барьерного слоя на основе оксидов, нитридов, топологических изоляторов.