Гибридные материалы с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний-углеродных плёнок

Проект направлен на разработку и исследование гибридных материалов с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний-углеродных плёнок. Актуальность решаемой проблемы обусловлена тем, что эффект резистивного переключения, позволяющий изменять электропроводность материала с помощью протекающего через него тока, открывает возможность создания приборов микро- и наноэлектроники, которые в ряде случаев способны заменить транзисторы в устройствах хранения данных. Способность “запоминать” электрическое сопротивление (мемристивный эффект) позволяет использовать устройства, работающие на эффекте резистивного переключения, в качестве элементарных ячеек вычислительных систем, реализующих имитацию работы отдельных нейронов и нейронных сетей аппаратно, а не программно. Такие материалы с эксплуатационной точки зрения должны обладать температурной и временной стабильностью электрофизических свойств, воспроизводимостью мемристивного эффекта, возможностью переносить большое количество циклов переключения без деградации мемристивных свойств, высоким отношением сопротивлений высокоомного к низкоомному состоянию, низким напряжением переключения и релаксации, а также малыми токами утечки.