«Разработка и освоение в производстве генератора изображений и технологического процесса формирования топологических структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм»

В рамках ОКР должны быть выполнены следующие работы:  проведено макетирование координатного стола;  разработан эскизный проект на Генератор;  разработана конструкторская документация (КД), технологическая документация (ТД) и эксплуатационная документация (ЭД) на Генератор;  изготовлен опытный образец Генератора и организация производства;  разработан технологический процесс формирования топологических структур на фотошаблонах в обеспечение производства ИС с топологическими нормами 90-65 нм.  проведены приемочные испытания (ПИ) опытного образца Генератора, по результатам ПИ КД, ТД, присвоена литера «О»;  получено заключение предприятия-потребителя по уровню параметров и применяемости разработанного генератора;  определено предприятие-изготовитель генератора. Ожидаемые технические характеристики : Генератор изображений в составе:  оптико-механическое устройство (ОМУ).- 1 шт.;  комплекс управляющий (КУ) - 1 шт.;  программное обеспечение (ПО) - 1 шт.  микроклиматическая термостатированная камера - 1 шт. Основные технические требования к параметрам Генератора изображений:  Зона экспонирования, не менее, мм - 215x215;  Кинематическая производительность в однопроходном режиме, не менее, мм²/сек - 1,4;  Количество проходов экспонирования - 1,2,4;  Длина волны лазерного излучения, нм - 257;  Производительность установки при изготовлении топологии один проход, два прохода (соотношение светлого/темного поля 50/50), не менее, мм²/сек - 1,4;  Минимальный размер формируемого элемента на ФШ, нм – 250;  Линейность размера изолированной линии, нм – 20;  Неровность края топологического элемента, не более, нм – 20;  Точность размера (СКО), не более, нм – 20;  Точность совмещения слоев в комплекте, нм – 35;  Типоразмер используемых фотошаблонных заготовок, мм - 152,4*152,4*6,35 (6025), 127*127*2,2-2,4 (5009);  Тип резиста - позитивный химически усиленный;  Формат проектных данных - GDX, dxf;  Дискретность адресной сетки, нм - 1,25;  Потребляемая мощность, не более, кВт – 50.