НИОКТР
№ 122011100147-6Разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц
11.01.2022
Разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц на принципах использования сверхбыстродействующих неохлаждаемых диодов Шоттки и/или туннельных МДМ-диодов с площадью барьера не более 50×50 нм и низкотемпературной технологии аддитивного формирования этих диодных структур методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией
ГРНТИ
47.13.35 Лазерные технологии в электронном производстве
47.03.10 Теоретические основы электронной техники СВЧ
47.03.05 Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
29.35.47 Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
электронный детектор
диод Шоттки
терабитный канал связи
терагерцовый диапазон спектра
лазерная аддитивная технология
Детали
Начало
19.12.2021
Окончание
18.06.2023
№ контракта
6ГТС1РЭС14/72110
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СОЛЕННА"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 15 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц» (договор №6ГТС1РЭС14/72110 от 19.12.2021) (заключительный).
0.927
ИКРБС
Исследование нового поколения монолитно-интегрированных схем гигагерцевого диапазона, содержащих резонансно-туннельные диоды и полевые транзисторы с затвором Шоттки
0.900
ИКРБС
Разработка технологии создания планарного диода с барьером Шоттки для терагерцовых приемных систем
0.896
ИКРБС
Разработка технологии создания планарного диода с барьером Шоттки для терагерцовых приемных систем
0.891
ИКРБС
Разработка технологии создания планарного диода с барьером Шоттки для терагерцовых приемных систем
0.887
НИОКТР
ТГц антенные решётки с использованием планарных диодов с барьером Шоттки
0.886
Диссертация
Поисковые исследования технологии изготовления излучателей и приемников терагерцового излучения (HEMT и фотопроводящая антенна на кристалле)
0.885
НИОКТР
-Разработка, создание и исследование быстродействующего диода Шоттки на базе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия для современной компонентной базы силовой электроники
0.883
НИОКТР
Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе кремниевых низкоразмерных пролетных диодов для контроля объектов
0.883
НИОКТР
Исследование и разработка элементов для сверхширокополосной локации и приемо- передачи в субтерагерцовом диапазоне частот на основе фотопроводящих структур из высокоомного арсенида галлия и нелинейно-оптических материалов
0.883
НИОКТР