Проектирование и разработка микросхемы широкополосного усилителя УВЧ диапазона на гетероструктурах нитрида галлия на кремнии с выходной мощностью до 10 Вт

При выполнении НИОКР должны быть: – разработана базовая технология изготовления кристаллов МИС УВЧ; – разработана конструкторская документация (КД) на кристаллы МИС УВЧ; – разработана технологическая документация (ТД) изготовления кристаллов МИС УВЧ; – изготовлены опытные образцы кристаллов МИС УВЧ; – разработаны программы и методики и проведены испытания изготовленных опытных образцов; – получено заключение предприятия – потребителя по уровню параметров и применяемости разработанных кристаллов МИС УВЧ, а также определено предприятие-изготовитель и разработаны предложения по порядку и срокам освоения разработанной технологии изделий. Основные электрические характеристики разрабатываемых МИС УВЧ должны соответствовать следующим требованиям: а) диапазон рабочих частот, ГГц – от 0,1 до 1,0; б) выходная мощность, Вт: Литер 1 – 1, не менее; Литер 2 – 5, не менее; Литер 3 – 10, не менее; в) коэффициент усиления, дБ: Литер 1 – 15, не менее; Литер 2 – 13, не менее; Литер 3 – 13, не менее; г) рабочее напряжение на стоке, В – 20, не менее; д) коэффициент полезного действия стока, % – 40, не менее.