Разработка базовой технологии формирования гетероструктуры нитрида галлия (GaN) на основе подложки (темплейта) кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si) с помощью метода металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ).

Цель проекта – разработка базовой технологии формирования гетероструктуры нитрида галлия (GaN) на основе подложки карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si) методом металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ). Задачи: 1. Проведение процессов МОГФЭ образцов гетероструктур c начальным слоем (Al, Ga)N на подложках 3С-SiC/Si. Изготовление экспериментальных образцов гетероструктур, проведение испытаний, оптимизация параметров роста начального слоя. 2. Проведение процессов МОГФЭ образцов гетероструктур GaN с использованием композиции буферных слоев (Al, Ga)N на подложках 3С-SiC/Si. Изготовление экспериментальных образцов гетероструктур, проведение испытаний, оптимизация конструкции буферных слоев. 3. Проведение процессов МОГФЭ образцов гетероструктур GaN с оптимизированными по составу и толщине начальным слоем и буферными слоями на подложке 3С-SiC/Si. Изготовление партии опытных образцов гетероструктур GaN на подложке 3С-SiC/Si. Проведение испытаний опытных образцов гетероструктур.