НИОКТР
№ 122012100490-0Разработка нового типа SiPM непланарной конструкции
20.01.2022
Кремниевые фотоумножители (Silicon Photomultiplier - SiPM) были разработаны в 1990-2000-е годы в России (ИЯИ, ФИАН, МИФИ) на основе исследований лавинных процессов, проведенных ранее в ФИАН. SiPM получили мировое признание за высокое разрешение числа фотонов в световом импульсе и времени его прихода, и стали широко применяться в физике высоких энергий и ядерной медицине. Их стали выпускать зарубежные производители фотосенсоров, воспроизводя конструкцию МИФИ - матрицу лавинных ячеек с планарным p-n переходом. В России SiPM не выпускаются. Сейчас разработки SiPM упираются в физические пределы планарной конструкции, особенно для ИК диапазона. Проект направлен на разработку нового типа SiPM непланарной конструкции с более высокими квантовой эффективностью и быстродействием. Она основана на усилении и фокусировке электрического поля на сферическом p-n переходе с малым радиусом кривизны, что приводит к эффективному собиранию и умножению фотоэлектронов, малой емкости ячейки и отсутствию потерь на границах ячеек.Планируется патентование новой конструкции и фотосенсоров на ее основе.
Разработка технологии будет осуществляться на базе ЦКП «МСТ и ЭКБ» МИЭТ.
ГРНТИ
50.09.37 Датчики и преобразователи
Ключевые слова
кремниевый фотоумножитель
фотосенсор
датчик
Детали
Начало
24.12.2021
Окончание
23.12.2023
№ контракта
32ГТС1РЭС14/72448
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ФОТОСЕНСОРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 15 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка кремниевых фотоумножителей непланарной конструкции
0.988
НИОКТР
Разработка нового типа SiPM непланарной конструкции (заключительный)
0.938
ИКРБС
Исследования в физике высоких энергий с применением кремниевых фотоумножителей
0.892
НИОКТР
"Разработка аналитической модели распределения электрического поля и
потенциала, ионизационного интеграла и напряжения пробоя в непланарных
конструкциях лавинных ячеек. Моделирование основных закономерностей и взаимосвязей
ключевых характеристик непланарных конструкций лавинной ячейки.Разработка
технологии формирования колодцев радиусом около 1 мкм в кремниевом эпитаксиальном
слое на глубине от 3 до 15 мкм.Разработка технологии формирования гасящего лавинный
пробой резистора с номиналом около 500 Ком, подключенного к лавинной
области.Разработка технологии формирования перифирийной области кремниевого
фотоумножителя в виде глубоких поликремниевых тренчей для блокирования
периферийных токов утечки и анодного контакта к кремниевой подложке."
0.892
ИКРБС
"Разработка технологии формирования слоя приповерхностной
имплантации для подавления темновой поверхностной генерации и
нестабильности из-за встроенного в поверхностный окисел заряда.
Разработка, моделирование, анализ и выбор вариантов
конфигурации электродов и топологии непланарных конструкций
лавинной ячейки. Разработка технологии объединения и оптимизации элементов
конструкции в едином технологическом цикле: (сферического p-n
перехода в колодце, контакта p-n перехода и гасящего резистора,
периферийной области и слоя приповерхностной имплантации)."
0.876
ИКРБС
Развитие калориметрии с использованием кремниевых фотоумножителей и ее применение в физике частиц
0.874
НИОКТР
Разработка и изготовление лавинных фотодиодов и фототранзисторов коротковолнового инфракрасного диапазона на основе материалов IV группы (Ge, Si, Sn)
0.869
НИОКТР
Физико-технологические основы создания кремниевого фотоэлектронного умножителя высокой эффективности с малой оптической связью
0.867
Диссертация
Теоретические исследования поставленных перед ПНИЭР задач (промежуточный, этап 2)
0.867
ИКРБС
Исследование многоэлементных однофотонных устройств с увеличенной входной апертурой в качестве приемников фотонов ИК диапазона
0.865
НИОКТР