Разработка ключевых элементов технологий изготовления и моделирования СВЧ, фотонных и фотонно-электронных интегральных схем на базе полупроводниковых материалов "кремний на изоляторе" и SiGe, а также радиочастотных и оптоэлектронных модулей на этой основе

Проект включает комплекс теоретических и прикладных исследований, направленных на создание перспективных оптических и радиочастотных приемопередающих модулей и систем на основе оптоэлектронных компонентов, фотонных (ФИС), фотонно-электронных (ФЭИС) и СВЧ интегральных схем (ИС) на базе различных полупроводниковых материалов. Подход позволит значительно улучшить многие характеристики волоконно-оптических и радиотехнических систем (стоимость, полоса частот, быстродействие, помехозащищенность. надежность, технологичность, габариты, вес и др.). Проект охватывает: разработку и исследование ключевых элементов технологий изготовления оптоэлектронных компонентов, ФИС и сверхширокополосных СВЧ ИС на базе материалов "кремний-на-изоляторе", SiGe, InP, GaAs и пленок Si3N4/SiO2; разработку методов моделирования и конструкций, экспериментальное исследование пассивных и активных оптических элементов и устройств (включая модуляторы и фотодиоды); исследование методов построения оптических приемопередатчиков со скоростями передачи данных до 100 Гб/с, 400 Гб/с и в перспективе до 1 Тб/с. Областями применения являются средства высокоскоростной и широкополосной передачи данных, системы наземной, спутниковой и космической связи, радиопротиводействия, РЛС, ФАР и АФАР, дата-центры, телекоммуникации, инфраструктура мобильных сетей (в том числе 5G и 6G), бортовые сети передачи данных и др.