Сложные Cu-содержащие полупроводники и слоистые структуры для технологичных, экологичных и высоко эффективных ультратонких солнечных элементов

Проект направлен на решение проблемы эффективного преобразования световой энергии в электрическую, в частности, путем генерации и разделения электрон-дырочных пар в гетероструктурах на основе Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3, а также других халькогенидных кристаллических материалов. Тонкопленочные гетероструктуры будут формироваться методом ионного-пучкового распыления с ассистированием для достижения высокой стехиометричности химического состава пленок. Будет произведена оптимизация физических и химических характеристик всех компонент тонкопленочной гетероструктуры с целью повышения характеристик солнечного элемента. Будет осуществлен поиск новых халькогенидных кристаллических материалов, пригодных для создания слоя поглотителя.