Разработка цифровой модели и изготовление прототипа широкоапертурного источника низкоэнергетичных ионов для технологии прецизионного контролируемого атомно-слоевого осаждения и травления материалов микро- и наноэлектроники

Проект направлен на создание прототипа и исследование плазменного источника низкоэнергетичных ионов с энергией 0,7-1 эВ для создания трехмерных наноструктур, разделенных друг от друга на расстояние в несколько атомарных слоев. Актуальность исследования связана с развитием ключевых технологий наноэлектроники для создания полупроводниковых структур с их масштабированием в третьем измерении, что позволит снизить габариты устройств наноэлектроники и повысить их функциональные характеристики. Предлагаемые в данном проекте исследования являются новыми и не имеют аналогов в России. Реализация проекта позволит разработать уникальную технологию атомно-слоевого травления функциональных материалов 3D структурной наноэлектроники.