Источники излучения ближнего ИК диапазона на основе полупроводниковых квантовых нанопластин

Проект посвящен разработке материалов для высокоэффективных источников излучения ближнего инфракрасного диапазона на основе эмиссии 2D. Задачи: развить методы контролируемого коллоидного синтеза двумерных полупроводниковых квантовых гетероструктур типа ядро/оболочка и ядро/крылья с оптимизированными морфологическими, структурными и оптическими параметрами и пассивированной неорганическим перовскитом поверхностью, излучающих в ближнем ИК диапазоне; установить закономерности влияния морфологии и химического состава на оптические свойства этих полупроводниковых двумерных гетероструктур. Планируемые результаты: разработать методики синтеза двумерных полупроводниковых гетероструктур ближнего ИК диапазона c оптимизированными морфологическими, структурными и оптическими параметрами на основе нанопластин халькогенидов свинца; методику модификации поверхности полученных двумерных гетероструктур неорганическим перовскитом CsPbI3 для увеличения квантового выхода ФЛ; теоретические модели энергетической релаксации и оптических откликов в полупроводниковых двумерных квантовых гетероструктурах с пассивированной перовскитом поверхностью; закономерности динамики носителей заряда, включая процессы релаксации и транспорта.