Создание научных основ эпитаксиального синтеза монокристаллического алмаза на поверхности переходных металлов и их сплавов

Основной задачей данного проекта является определение фундаментальных факторов роста монокристаллического алмаза на подложках переходных металлов и получение монокристаллического алмаза диаметром 30 мм и более. В рамках этой задачи будут решаться следующие проблемы:1)Определение совокупности факторов для роста монокристаллического алмаза на моно- и поликристаллических слоях переходных металлов.2)Замена иридия в системе алмаз-подложка путем имитации его кристаллической решетки с помощью твердого раствора переходных металлов.3)Разработка комплекса мер для получения тонкопленочных переходных металлов и их сплавов со структурой FCC методом магнетронного распыления.По результатам выполнения проекта будут получены следующие результаты:1) Фундаментальные факторы роста монокристаллического алмаза на подложках переходных металлов.2) Замена иридия в системе алмаз-подложка путем имитации его кристаллической решетки с помощью твердого раствора переходных металлов.3) Технология получения монокристаллического алмаза диаметром 30 мм и более.Экономически эффективное получение монокристаллического алмаза с диаметрами от 30 мм и более окажет существенное влияние на развитие таких областей техники как создание высокоточных MEMS структур, выводных окон современных ускорителей элементарных частиц и детекторов ионизирующего излучения, инфракрасной оптики для различных областей применения, новых поколений ВЧ и СВЧ приборов, в частности структур GaN на алмазе и т.д.