Перестраиваемый узкополосный источник излучения на основе оксидного кристалла с регулярной доменной структурой, генерирующий излучение с длиной волны порядка 2,1 мкм в режиме, близком к вырожденному

Одной из ключевых задач данного проекта является создание широко перестраиваемого в среднем ИК- диапазоне (5 – 15 мкм) источника излучения. Подобные источники излучения представляют интерес для решения различных задач. В настоящее время, существует ряд перспективных неоксидных нелинейных кристаллов, обладающих высокой нелинейностью. Однако, для накачки параметрических генераторов света (ПГС) на основе указанных кристаллов не могут быть применены широко распространенные Nd:YAG / Nd:YLF лазеры с длиной волны 1 мкм из-за двухфотонного поглощения. Поэтому для накачки ПГС требуются более длинноволновые источники излучения. В рамках данного проекта планируется разработать ПГС на основе кристаллов PPLN и PPKTP с длиной волны порядка 2,1 мкм, работающего в режиме, близком к вырожденному. В качестве селективного элемента будет использована объемная Брэгговская решетка, которая также позволит перестраивать длину волны выходного излучения в диапазоне порядка 70 нм. Возможность плавной перестройки длины волны излучения накачки, в отличие от дискретно перестраиваемого Ho:YAG лазера, дает возможность более эффективно подобрать условия для дальнейшего преобразования в средний ИК диапазон.