Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов СВЧ-микроэлектроники в интересах российской промышленности

Современные гетероструктуры на основе A3B5 полупроводников имеют множество применений, в частности, они являются ключевым компонентом для изготовления различных типов СВЧ микросхем, необходимых для проектирования и изготовления приемопередающего модуля активно фазированных антенных решеток (АФАР). В свою очередь АФАР имеет очень широкую область применения. Использование в радиолокационных системах для радиолокационного мониторинга наземного, воздушного и морского пространства для осуществления безопасности объектов транспортной инфраструктуры гражданских наземных, воздушных и морских судов. Также АФАР могут быть применены в телекоммуникационных системах специального назначения. Таким образом, детальное теоретическое и экспериментальное исследование физико-технологических подходов к созданию гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP на является актуальным для создания новых типов полупроводниковых приборов недоступных в настоящее время в РФ. Мировой интерес подтверждается множеством компаний изготавливающих такие СВЧ микросхемы и мировым рынком более чем в десятки миллиадров долларов СГША в год, что подчеркивает актуальность исследований в данном направлении и необходимость стимулирования развтития этого направления в РФ. В рамках проекта будет разработана конструкции, технология изготовления и опытные образцы гетероструктур твердых растворов InGaAlAsP на подложках арсенида галлия диаметром не менее 76 мм С помощью и на базе партнёра лаборатории будут разработаны комплекты конструкторской и технологической документации необходимой для изготовления комплекта СВЧ микросхем для последующего проектирования и изготовления нового поколения приемопередающего модуля активных фазированных антенных решеток.: - СВЧ МИС малошумящего усилителя, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл). - СВЧ МИС буферного усилителя, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл). - СВЧ МИС 6-ти разрядного аттенюатора, предназначенного для применения в диапазоне частот (9,0 – 10,6) ГГц в бескорпусном монолитном интегральном исполнении (кристалл).