Исследование физических свойств и методов создания источников излучения ближнего ИК-диапазона на основе гибридных гетероструктур А3В5/Si, сформированных методом спекания

ЦельИсследование возможности создания гибридных гетероструктур на основе материалов А3В5 и кремния методом спекания полупроводниковых пластин для реализации на их основе лазеров спектрального диапазона 1.2-1.6 мкм с эмиттерными слоями разного типа (кремния и полупроводник А3В5).ЗадачиСоздание эффективных светоизлучающих гетероструктур на основе материалов А3В5, спектрального диапазона 1200-1600 нм, выращенных на пластине фосфида индия, и исследование их оптических и структурных параметров Исследование возможности создания полупроводниковых лазерных диодов различной конструкции Исследование свойств полупроводниковых лазерных диодов различной конструкцииПланируемые результатыГетероструктуры на основе гибридных структур А3В5 и кремния Полупроводниковые лазерные диоды различной конструкции (полосковый лазер, микродисковый лазер) на основе гибридных структур А3В5 и кремния