Разработка сенсора для детектирования постоянных и переменных магнитных полей на основе магнитоплазмонного кристалла

Современные сенсоры магнитного поля повсеместно используются для мониторинга загрязнения, в точечных диагностических системах, для индикации качества пищевых продуктов и во многих других отраслях. Основным недостатком технологий измерения магнитного поля, как правило, являются снижение чувствительности и увеличение стоимости при уменьшении размера устройства. Хотя первая проблема является общей для каждой сенсорной технологии, вторая незначительна для сенсоров, основанных на магнитооптических эффектах. Сенсоры на основе магнитооптических эффектов можно улучшить, переходя к геометриям ортогональных магнитооптических эффектов, таких как поперечные или продольные эффекты Керра, усиленных возбуждением поверхностных плазмон-поляритонов. Данный проект направлен на разработку сенсорного элемента датчика магнитного поля на основе магнитоплазмонного кристалла с оптимальными параметрами для достижения высоких значений чувствительности и локальности измерения постоянного и переменного магнитного поля. Работа сенсорного элемента основана на усилении магнитооптического отклика за счет возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов в магнитоплазмонных кристаллах. Параметры усиления связаны с оптическими и магнитными свойствами магнитоплазмонных кристаллов, и зависят как от геометрических параметров подложек, так и от параметров функциональных слоев.