Управление фазовым составом и магнитными свойствами слоев арсенида галлия, легированных переходными элементами

Проект направлен на определение новых технологических способов и процессов преобразования кластеров второй фазы с использованием послеростового импульсного лазерного отжига, позволяющих, в том числе, получать однофазный ферромагнитный полупроводник с повышенным содержанием примеси переходных элементов и увеличенной температурой фазового перехода ферромагнетик-парамагнетик. Научная значимость и актуальность предлагаемого исследования связана со значительным и постоянным интересом ученых ведущих мировых научных групп к развитию технологий получения ферромагнитных полупроводников (A3,Mn)B5, которые позволяли бы эффективно управлять их свойствами (температура Кюри, кристаллическое совершенство и фазовый состав) и обеспечивали бы их успешное приборное применение. Ожидается, что в результате предлагаемого исследования получится сделать управляемым процесс образования кластеров и их дальнейшее модифицирование вплоть до растворения в матрице основного ферромагнитного полупроводника (GaMnAs). Будет продемонстрирована возможность использования разработанных способов управления фазовым составом слоев GaAs, легированных переходными элементами, в лабораторной технологии получения магниторезистивных диодов и детекторов циркулярно-поляризованного излучения. Комплексный подход позволит создать новые лабораторные технологии создания ферромагнитных полупроводников и получить новые знания в области приборов спиновой электроники.