Разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90–65 нм

Объект исследования: Разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов, определение перечня и технических требований к технологическому оборудованию и материалам для изготовления комплектов фотошаблонов разных групп сложности (стандартных бинарных, сложных бинарных с элементами коррекции эффектов оптической близости и полутоновых фазосдвигающих фотошаблонов) для производства ИС с проектными нормами до 90-65 нм. Цель исследования: Формирование базовых технических требований для изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами до 65 нм, разработка базовых маршрутов проектирования и изготовления фотошаблонов, определение перечня и требований к техническим характеристикам необходимого технологического оборудования для изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами до 65 нм в рамках проекта создания научно-технологического центра по изготовлению фотошаблонов с проектными нормами 90-65 нм на базе НИУ МИЭТ. Ожидаемые результаты: Отчет о патентных исследованиях. Перечень технических требований к комплектам фотошаблонов для производства интегральных схем с проектными нормами 90-65 нм. Базовый маршрут производства фотошаблонов, включая стандартные бинарные, сложные бинарные с элементами коррекции эффектов оптической близости, полутоновые фазосдвигающие фотошаблоны. Состав и технические требования к оборудованию для процессов изготовления фотошаблонов; Перечень материалов, процессных и технологических газов, используемых в технологических операциях при изготовлении фотошаблонов. Проект ТЗ на ОКР по разработке технологического процесса изготовления фотошаблонов для производства полупроводниковых изделий с проектными нормами 90-65 нм на базе НИУ МИЭТ.