НИОКТР
№ 123122000037-3Исследование электрофизических характеристик макетных образцов высокочувствительных преобразователей магнитного поля, макетных образцов элементов ячеек энергонезависимой магниторезистивной памяти на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком
19.12.2023
В рамках выполнения НИР будут созданы макеты контрольно-измерительных стендов для исследования электрофизических характеристик макетных образцов спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком, макетных образцов высокочувствительных преобразователей магнитного поля и макетных образцов элементов ячеек энергонезависимой магниторезистивной памяти
ГРНТИ
47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
Ключевые слова
спин-туннельная наноструктура
контрольно-измерительный стенд
Детали
Начало
21.03.2023
Окончание
31.12.2024
№ контракта
№110/ОД
Заказчик
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс «Технологический центр"
Бюджет
Собственные средства организаций: 5 000 000 ₽
Похожие документы
Изготовление тестовых макетов датчиков магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур обобщение и оценка полученных результатов
0.927
ИКРБС
Изготовление и измерение электрофизических характеристик макетов перспективных микросистем на основе тонкопленочных наноструктур с магнитострикционным эффектом более 1,0%. Обобщение и оценка полученных результатов
0.920
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.917
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления высокочувствительного сенсора магнитного поля
0.915
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления чувствительных элементов для датчиков на магниторезистивном эффекте
0.914
ИКРБС
Разработка технологии изготовления высокочувствительного сенсора магнитного поля
0.912
НИОКТР
Исследование тенденций развития и конструктивно-технологических методов изготовления тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с магнитострикционным эффектом для создания на их основе перспективных микросистем
0.911
ИКРБС
Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Этап 3
0.909
ИКРБС
Научно-исследовательские работы по созданию технологии изготовления высокочувствительного сенсора магнитного поля
0.908
ИКРБС
Изготовление макетов устройств. Обобщение и оценка результатов исследований.
0.908
ИКРБС