Наноразмерные гетероструктуры на основе новых функциональных материалов для наноэлектроники

Общей целью предлагаемого научного исследования является выяснение физических свойств нескольких классов тонкопленочных и наноразмерных материалов, синтезированных различными методами, и их функционализация для использования в перспективных устройствах энергонезависимой памяти. В частности, заявляется разработка процессов химического синтеза двумерных MoS2/WS2 полупроводников и их интеграция с КМОП-совместимыми HfxZr1-xOy сегнетоэлектриками (СЭ) для создания СЭ энергонезависимой памяти с недеструктивным механизмом считывания по технологии 1-T (один транзистор). Альтернативно, будут исследованы возможности использования неравновесных методов роста (импульсное лазерное осаждение и лазерный отжиг) и модификации (ионная имплантация) функциональных СЭ и 2D слоев для создания прототипов устройств СЭ и резистивной памяти.