Разработка высокоинтенсивного источника УФ-излучения сплошного спектра для установок контроля качества полупроводников в микроэлектронике

Цель выполнения НИОКР: Создание высокоинтенсивного источника УФ-излучения сплошного спектра для установок контроля качества полупроводников в микроэлектронике. Импульсы УФ-излучения высокоинтенсивного источника отличаются высокой стабильностью, нестабильность амплитуды силы излучения от импульса к импульсу не превышает 0,1 % при поддержании горения разряда с использованием лазера. Разрабатываемый источник излучения может быть применен в микроэлектронике при разработке и модернизации установок в качестве источника УФ излучения в контроле дефектов полупроводниковых кристаллов и в эллипсометрии с целью контроля совмещения слоев полупроводниковых пластин.