НИОКТР
№ 124020600056-6Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5
01.02.2024
В ходе выполнения НИР должна быть разработана технология роста методом МОС- гидридной эпитаксии планарных гетероструктур А3В5, а также эскизная технологическая документация. Разрабатываемая технология роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных гетероструктур А3В5 и эскизная технологическая документация предназначены для создания источников лазерного излучения на длину волны 1300нм при гетерогенной интеграции КНИ/А3В5 (КНИ – кремний на изоляторе), обеспечивая возможность групповых операций при создании активных Фотонных Интегральных Схем в модулях телекоммуникационного оборудования и оборудования для центров обработки данных, вместо трудоемкой дискретной сборки.
ГРНТИ
29.33.15 Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
Ключевые слова
гетерогенная интеграция
фотонные интегральные схемы
полупроводниковые лазеры
лазерные квантово-размерные гетероструктуры
наногетероструктуры
МОС-гидридная эпитаксия
Детали
Начало
29.11.2023
Окончание
30.09.2026
№ контракта
23-91-01009
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 89 980 000 ₽
ИКРБС
Похожие документы
Разработка газовой системы установки МОС-гидридной эпитаксии для реализации технологии эпитаксиального роста А3В5 гетероструктур, предназначенных для создания источников лазерного излучения на основе гетерогенно-интегрированных волноводных структур SOI/A3B5
0.962
НИОКТР
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.944
НИОКТР
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка лабораторной планарной технологии тестовых кристаллов ВИЛ.
0.940
ИКРБС
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.929
НИОКТР
"Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению полупроводниковых лазерных модулей с распределенной обратной связью, унифицированных для сборки с планарными интегрально-оптическими резонансными структурами на основе кремния и нитрида кремния"
0.928
НИОКТР
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых квантово-размерных наногетероструктур активной области и распределенных брэгговских отражателей для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Разработка методик измерения характеристик тестовых кристаллов ВИЛ
0.926
ИКРБС
Разработка технологического процесса гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А 3 В 5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ
0.925
НИОКТР
Технология изготовления лазерной туннельно-связанной гетероструктуры для мощных полупроводниковых импульсных лазеров ИК-диапазона
0.925
РИД
Апробация технологии молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наногетероструктур А³В⁵ для ВИЛ ближнего ИК-диапазона. Апробация технологии изготовления тестовых кристаллов ВИЛ. Обобщение и оценка результатов исследований
0.925
ИКРБС
Разработка технологии молекулярно-пучковой эпитаксии, изготовление и исследования ЭО полупроводниковых наногетероструктур для ВИЛ спектрального диапазона 1530-1565 нм. Разработка технологии изготовления кристаллов ВИЛ.
0.923
ИКРБС