НИОКТР
№ 124031100061-1

Теория когерентных спиновых, оптических и электрических явлений в наноструктурах

01.03.2024

Современная физика полупроводников — это, прежде всего, физика низкоразмерных систем. В полупроводниковых наноструктурах благодаря экситонным резонансам взаимодействие света с колебаниями решётки может быть значительно усилено. Практическое использование этого эффекта требует решения фундаментальных теоретических задач. Новые двумерные системы на основе углерода, фосфора, дихалькогенидов переходных металлов и других соединений являются перспективными для прикладных применений и требуют разработки новых теоретических подходов для их описания. Нелинейные оптические эффекты дают возможность многостороннего исследования физических свойств твердотельных систем с дираковским спектром носителей. Атомарно-тонкие полупроводники – монослои и бислои дихалькогенидов переходных металлов, халькогениды индия, галлия и др., – обладают нетривиальными физическими свойствами и широкими перспективами применений благодаря сильному кулоновскому взаимодействию носителей заряда, электрон- и экситон-фононному взаимодействию, спин-орбитальной связи, многодолинному характеру энергетического спектра и наличию “муара” в бислойных структурах, что приводит к новым физическим явлениям, требующим теоретического анализа. Особенности материалов с многодолинным спектром известны уже очень давно. Теоретическое описание проявлений многодолинности, как правило, ограничивалось kp-теорией возмущений, в которой сложно учесть эффекты взаимодействия различных долин за счёт размерного квантования. Традиционные материалы оптоэлектроники являются прямозонными и однодолинными. Однако, недавно появился интерес к перспективным прямозонным, но при этом, многодолинным материалам. Использование спиновой степени свободы электронов для хранения и обработки информации является основой нового бурно развивающегося направления физики твердого тела - спинтроники. Развитие спинтроники также в основном концентрировалось на прямозонных однодолинных материалах. Исследование многодолинных материалов для этой цели только начинается. Технологические успехи в создании новых материалов и устройств спинтроники требуют развития квантовой теории новых спиновых явлений. В двумерных материалах с высокой подвижностью (графен, GaAs квантовые ямы) недавно было экспериментально открыто формирование вязкой жидкости из двумерных электронов. Электрический транспорт в такой системе кардинально отличается от обычного омического транспорта: возникает неоднородное распределение плотности тока по образцу; важен тип краёв образца (степень их гладкости); возможно формирование водоворотов и других сложных течений; возникают нетривиальные резонансные эффекты при высокочастотном излучении, поэтому изучение таких систем представляется интересными как с фундаментальной, так и с прикладной сторон. Важной и одной из наиболее перспективных тематик в современной физике полупроводников является развитие направлений, связанных с квантовыми технологиями, что отражается в лавинообразном росте количества научных публикаций, посвященных созданию и исследованию когерентных и запутанных состояний, квантовым измерениям. Актуальные задачи в этой области, в частности, связанные с изучением влияния измерений на спиновую динамику электронов и экситонов, также будут исследоваться в рамках проекта.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.03 Теория конденсированного состояния
Ключевые слова
экситоны
Теория полупроводников
фототоки
спин
наноструктуры
двумерные кристаллы
Детали

Начало
01.01.2024
Окончание
31.12.2026
№ контракта
075-00282-24-00
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 101 922 681 ₽
Похожие документы
Теория когерентных спиновых, оптических и электрических явлений в наноструктурах
0.940
ИКРБС
ТЕОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СПИНОВЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
0.938
ИКРБС
ТЕОРИЯ ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И СПИНОВЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ
0.937
ИКРБС
Коллективные явления в электронных и экситонных системах в полупроводниковых наноструктурах
0.930
НИОКТР
Квантовый транспорт и многоэлектронные эффекты в полупроводниковых низкоразмерных электронных системах и наноструктурах
0.929
НИОКТР
Физика низкоразмерных структур и полупроводниковых наноматериалов
0.929
НИОКТР
Физика низкоразмерных структур и полупроводниковых наноматериалов
0.929
НИОКТР
Электронные, спиновые и оптические свойства полупроводниковых наногетероструктур и структур металл-полупроводник
0.929
НИОКТР
Электронные состояния и транспорт в наноструктурах с сильным спин-орбитальным взаимодействием-
0.928
НИОКТР
Электронные и оптические явления в полупроводниковых наноструктурах
0.928
НИОКТР