Функциональные материалы для микроэлектроники и фотоники

Создание фундаментальных основ для разработки нового поколения эффективных термоэлектрических материалов и термоэлектрических генераторов и охладителей на их основе. Изучение условий роста кристаллов проводящего и полу-изолирующего карбида кремния, политипов 6Н и 4Н, с низким содержанием дефектов, диаметром от 50 до 150 мм. Исследование процессов сублимационного роста кристаллов AlN, диаметром от 15 до 100 мм, с целью достижения высокого структурного совершенства. Исследование радиационной стойкости гексагонального нитрида бора (hBN) и разработка методов его роста и легирования. Разработка барорезисторов для измерения низких гидростатических и интегральных давлений в средах с большими размерами неоднородностей в условиях пониженных температур. Получение новых нанокомпозитных материалов для чувствительных плёнок редкоземельных полупроводниковых датчиков различных газовых смесей. Исследование и развитие методов и алгоритмов обработки полезных сигналов датчиков, функционально связанных с микроэлектронными чипами мультисенсорных систем в промышленности, экологии и медицине. Исследование полупроводниковых материалов на основе твёрдых растворов сульфидов редкоземельных элементов с большим термовольтаическим эффектом. Разработка новых композитных материалов и исследование процессов переноса заряда между компонентами таких композитов на основе углеродных и графеновых квантовых точек в матрице проводящих полимеров и металлорганических перовскитов для приборов гибкой органической электроники. Интерес к изучению глубоких многозарядных центров в германии и кремнии обусловлен, в частности, тем, что с использованием оптических переходов между их состояниями могут быть созданы источники когерентного инфракрасного и терагерцового излучения. Исследования в данном направлении включают технологические работы, направленные на создание контролируемой технологии легирования германия и кремния примесями, введение которых в кристалл создаёт оптически активные центры в необходимых концентрациях с нужными свойствами. Такие исследования естественным образом включают использование различных технологических приемов и методов диагностики легированных образцов. Исследование роли точечных и протяженных дефектов в увеличении выхода оптического возбуждения при облучении оксидных материалов высокрэнергетическим ионизирующим излучением, исследование роли ловушечных состояний для конкретных материалов в процессе сенсибилизации или тушения оптического излучения. Выявление закономерностей рентгеновской и электронной дифракции в структурно-несовершенных кристаллических объектах, тонких слоях и многослойных структурах. Применение комплекса дифракционных методов для получения наиболее полной структурной информации в сопоставлении с физическими свойствами новых материалов. Исследование микрообъектов в объеме твердых тел методами рентгеновского фазово-контрастного изображения с использованием синхротронного излучения.