НИОКТР
№ 124041800006-4Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках карбида кремния с проектными нормами 0,25 мкм
11.04.2024
Целью выполнения ОКР является разработка стабильного типового технологического процесса и комплексного инструмента проектирования для широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем, работающих в частотном диапазоне до 18 ГГц на основе нормально открытых полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ) на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия на подложках карбида кремния (GaN/SiC) с минимальными проектными нормами 0,25 мкм и последующим обеспечением доступа сторонних организаций к изготовлению своих проектов в режиме контрактного производства
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
СВЧ компоненты
гетероэпитаксиальные структуры
нитрид галлия
карбид кремния
Детали
Начало
10.08.2023
Окончание
30.11.2025
№ контракта
23411.4732190019.11.005
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИСТОК" ИМЕНИ А. И. ШОКИНА"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 2 708 375 030 ₽
Похожие документы
Разработка технологии и комплексного инструмента проектирования широкой номенклатуры СВЧ и силовых компонентов, изготавливаемых на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на подложках кремния с проектными нормами до 0,25 мкм
0.966
НИОКТР
«Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур нитридов галлия-алюминия на подложках карбида кремния диаметром до 100 мм для приборов СВЧ-техники специального назначения»
0.937
НИОКТР
«Разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур нитридов галлия-алюминия на подложках карбида кремния диаметром до 100 мм для приборов СВЧ-техники специального назначения»
0.937
НИОКТР
Разработка и исследование технологии изготовления мощных СВЧ транзисторов и МИС на основе AlInGaN наногетероструктур на подложках полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм
0.936
ИКРБС
Технология изготовления транзисторов для применения в СВЧ усилителях мощности, на основе эпитаксиальных структур GaN выращенных на полуизолирующем карбиде кремния 4Н 4 дюйма
0.935
РИД
Экспериментальные исследования поставленных перед НИР задач
0.934
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ-транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.933
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания электронной компонентной базы на широкозонных полупроводниках для современной радиоэлектронной аппаратуры в диапазоне частот 30 - 60 ГГц. Экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач
0.933
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.929
НИОКТР
Разработка технологии изготовления СВЧ транзистора на основе нитрида галлия с удельной мощностью до 10 Вт/мм на частоте 3 ГГц
0.926
ИКРБС