Эпитаксиальные наноструктуры функциональных оксидов на германиевой платформе для спинтроники

Использование функциональных оксидов перспективных электронных устройствах подразумевает их интеграцию с полупроводниковыми технологическими платформами. Основные усилия направлены на сопряжение функциональных оксидов с кремнием. В то же время германий, ввиду высокой подвижности носителей и значительного спин-орбитального взаимодействия, обладает преимуществами для ряда приложений. Однако общие методы создания эпитаксиальных гетероструктур оксид/германий еще не созданы. Основная цель проекта состоит в разработке устойчивых методик эпитаксиальной интеграции функциональных оксидов с германием. Для создания оптимального спинового контакта EuO/Ge будет исследован синтез с использованием графеновой прослойки. В качестве итога будут выработаны общие рецепты синтеза кристаллических оксидов на германии и всесторонне исследована новая перспективная система полупроводниковой спинтроники EuO/графен/Ge.