Полупроводниковые источники излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов

25.04.2024

Проект нацелен на развитие существующих и создание новых лазерных источников излучения в наиболее востребованных участках ИК диапазона (телекоммуникационный диапазон 1.1 – 1.5 мкм, окно прозрачности атмосферы 3 – 5 мкм, терагерцовый диапазон (1 – 10 ТГц) и примыкающий к нему «сверхдлинноволновый» диапазон 15 – 30 мкм) на основе гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) HgCdTe, твердых растворов InGaN (межзонные переходы) и квантовых каскадных лазеров (ККЛ) GaAs/AlGaAs (межподзонные переходы).

ГРНТИ

29.19.31 Полупроводники

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

Ключевые слова

полупроводниковые лазеры

InN

терагерцовый диапазон

квантовые каскадные лазеры

HgCdTe

стимулированное излучение

оже-рекомбинация

InGaN

ИК диапазон

Детали

Начало

01.01.2024

Окончание

31.12.2026

№ контракта

075-00295-24-03

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Исполнитель

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ ИМ. А.В. ГАПОНОВА-ГРЕХОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"

Бюджет

Средства федерального бюджета: 50 196 000 ₽

ИКРБС

№ 225020608969-9

Похожие документы

Полупроводниковые источники излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов

0.953

ИКРБС

-Лазеры дальнего ИК диапазона на основе гетероструктур InAs/GaSb с квантовыми ямами

0.928

НИОКТР

Cтруктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe для лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов с оптической и токовой накачкой