НИОКТР
№ 124062000049-4Разработка технологического процесса гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А 3 В 5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ
16.05.2024
Целью НИР «Разработка технологического процесса гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А3В5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ» является разработка технологии гетерогенной сборки (бондинга) волноводных структур на КНИ с лазерными гетероструктурами на А3В5 методом «пластина с пластиной», обеспечивающей оптическую передачу сигнала между пассивной волноводной и лазерной структурами, при изготовлении многофункциональных ФИС для высокоскоростных приемо-передающих модулей (трансиверов).
В ходе выполнения НИР решаются следующие задачи: формулирование ограничений на геометрические и оптические свойства буферного слоя с помощью методов численного моделирования; разработка базовой технологии гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А3В5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ; разработка методик исследования и характеризации экспериментальных образцов состыкованных лазерных гетероструктур А3В5 и пассивных волноводных структуры на основе КНИ; 4. изготовление экспериментальных образцов состыкованных лазерных гетероструктур А3В5 и пассивных волноводных структур на основе КНИ; 5. Исследования экспериментальных образцов состыкованных лазерных гетероструктур А3В5 и пассивных волноводных структур на основе КНИ;6. Разработка ОНТД на разработанный базовый технологический процесс гетерогенной интеграции лазерной гетероструктуры А3В5 и пассивной волноводной структуры на основе КНИ.
В результате реализации проекта будет разработана технологическая база для постановки ОКР по разработке полного цикла изготовления и организации серийного производства отечественных гетерогенно интегрированных ФИС, содержащих пассивные кремниевые волноводные элементы, управляемые и активные элементы на гетероструктурах А3В5, для перспективных разработок высокоскоростных оптических приемопередающих модулей (трансиверов), используемых в телекоммуникационном оборудовании, центрах обработки данных и устройствах управления объектами наземного, воздушного и космического базирования различного назначения.
ГРНТИ
47.13.13 Технология и оборудование для производства радиодеталей и компонентов
Ключевые слова
кремниевая волноводная структура
А3В5 гетероструктура
КНИ
бондинг
сращивание
гетерогенная сборка
фотонные интегральные схемы
трансиверы
приемопередающие модули
Детали
Начало
18.12.2023
Окончание
30.09.2026
№ контракта
23-91-06306
Заказчик
Российский научный фонд
Исполнитель
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "ЗЕЛЕНОГРАДСКИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 90 000 000 ₽
Похожие документы
Разработка технологического маршрута изготовления элементов связи периодического типа моды лазерной структуры и моды канального волновода на КНИ
0.949
НИОКТР
"Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению полупроводниковых лазерных модулей с распределенной обратной связью, унифицированных для сборки с планарными интегрально-оптическими резонансными структурами на основе кремния и нитрида кремния"
0.935
НИОКТР
Разработка технологических процессов формирования Si/A3B5 гетерогенно-интегрированных структур и источников лазерного излучения на их основе
0.927
НИОКТР
Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5
0.925
НИОКТР
Разработка отдельных ключевых элементов электронно-фотонных интегральных схем и диагностической базы их контроля
0.925
НИОКТР
Разработка технологии создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии компонентов гетероструктур для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1530-1565 нм
0.923
НИОКТР
Исследование и разработка технологических подходов к изготовлению планарных интегрально-оптических резонансных структур на основе кремния и нитрида кремния, унифицированных для сборки с полупроводниковыми лазерными модулями
0.922
НИОКТР
Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм
0.921
ИКРБС
ОТЧЕТ ПО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ "Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктyр лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5" промежуточный, этап 2: «Разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5»
0.920
ИКРБС
Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов СВЧ-микроэлектроники в интересах российской промышленности
0.918
НИОКТР