Создание платформы для реализации модели квантовых регистров на основе связанных оптически-поляризуемых центров окраски и ядерных спинов в двумерных ван-дер-ваальсовых и объемных кристаллах для использования в устройствах квантовой памяти и спин-фотонных интерфейсах

Проект направлен на создание стабильных вакансионных дефектов (центров окраски) в перспективных для квантовых технологий кристаллах карбида кремния (SiC) и гексагонального нитрида бора (hBN) с последующим исследованием их спин-оптических свойств и релаксационных характеристик методами фотоиндуцированной магнитно-резонансной спектроскопии. В рамках данного Проекта будет произведена Апробация функциональных материалов и изготовление прототипов квантовых регистров, квантовой памяти и спин-фотонных интерфейсов, иными словами – создание платформы для реализации квантовых технологий и демонстрации квантово-вычислительных алгоритмов.