Лаборатория «Наноструктур А3В5 на кремнии для задач микроэлектроники»

Заявленные в рамках тематики лаборатории исследования направленны на создание новых функциональных материалов микро- и оптоэлектроники на основе эпитаксиальных полупроводниковых наногетероструктур соединений А3В5 комбинированной геометрии, в том числе на основе нитевидных нанокристаллов (ННК). Фундаментальной задачей исследований является экспериментальное обнаружение новых физических явлений, проявляющихся в результате размерных эффектов и взаимодействий на межфазных границах и исследование их влияния на оптоэлектронные и нелинейно-оптические свойства полупроводниковых наноструктур. Практическая значимость проводимых работ заключается в развитии материальной платформы нанофотоники и интегральной оптоэлектроники, с целью создания быстродействующих и энергоэффективных наноразмерных источников и детекторов оптического излучения, а также матриц микрофотодетекторов и микросветодиодов на основе гетероструктурированных ННК. Будет решен широкий спектр актуальных научно-технологических задач в области формирования полупроводниковых наногетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии, в частности, развиты методы эпитаксиальной стабилизации азотсодержащих твердых растворов GaP(N,As) и InAs(P,N) и метастабильных гексагональных структурных модификаций соединений A3B5, а также предложены новые технологические подходы к монолитной интеграции соединений A3B5 на поверхности кремния. В создаваемой лаборатории будет реализован полный комплекс мероприятий по разработке приборных структур, включающий численное моделирование конструкции функциональных структур, эпитаксиальное выращивание экспериментальных образцов наногетероструктур, их пост-ростовую обработку, прототипирование и характеризацию приборных устройств. В результате выполнения задач проекта будут предложены оригинальные подходы к решению проблем управления спектральной чувствительностью и повышения квантовой эффективности светоизлучающих устройств и фотоприемников видимого и ближнего инфракрасного диапазонов (0.4 – 3.5 мкм).