«Разработка библиотеки топологий и моделей стандартных элементов и их апробация с целью создания методологии согласования импедансов мощных бескорпусных AlGaN СВЧ-транзисторов с проектной нормой до 0,5 мкм при проектировании аппаратуры систем навигации, телекоммуникации и радиолокации L-, S- и С-диапазонов»

Проект направлен на развитие отечественной технологии проектирования и производства критической СВЧ ЭКБ на основе нитрида галлия для радиоэлектронной аппаратуры систем навигации, управления движением, телекоммуникации, на сегодняшний день определяющих вектор развития целых отраслей промышленности и лежащих в основе сразу нескольких направлений стратегической инициативы «Технологический рывок». На сегодняшний момент технология Исполнителя обеспечивает мелкосерийное производство кристаллов СВЧ-транзисторов мощностью 15-30 Вт, используемых при проектировании и изготовлении гибридных интегральных схем усилителей мощности. Такой подход достаточно трудоемок, не позволяет применять принципы сквозного проектирования и накладывает очевидные ограничения на массогабаритные параметры устройств. Разработка и апробация библиотеки топологий и моделей стандартных элементов (в первую очередь – транзисторов) позволит коренным образом расширить возможности разработчиков ЭКБ в процессе согласования импедансов мощных транзисторов при построении гибридных схем усиления, а в перспективе- стать краеугольным камнем в создании комплексного инструмента проектирования монолитных схем.