Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники

Проект направлен на фундаментальные исследования и инновационный дизайн принципиально новых наноматериалов для приборов и устройств нанофотоники на основе III-V нитевидных нанокристаллов (ННК), наномембран, гибридных нано-гетероструктур III-V и III-N с управляемой морфологией, кристаллической структурой и расширенной областью по составу, в том числе, на подложках кремния. Научная проблема, на которую направлен проект — создание наноматериалов на основе полупроводниковых соединений III-V и III-N: фундаментальные исследования и приложения в оптоэлектронике, совмещенной с кремниевой электронной платформой. Научная новизна заключается в том, что в нем впервые будут получены новые прорывные результаты в следующих областях: 1) Моделирование и экспериментальные исследования фундаментальных ростовых процессов при эпитаксии нано-гетероструктур на основе III-V и III-N ННК, гибридных наноструктур различного типа, управление их морфологией, кристаллической фазой и составом. 2) Принципиально новые методы синтеза тройных соединений III-V и III-N с подавлением термодинамически запрещенных областей несмешивания (miscibility gaps) в InGaAs, InGaN и других системах с сильным взаимодействием пар, и гибридных нано-гетероструктур различного типа на основе таких материалов для приложений в оптоэлектронике. 3) Теоретические и экспериментальные исследования и инновационный дизайн нано-гетероструктур на основе полупроводниковых соединений III-V и III-N на кремнии для интеграции III-V оптоэлектроники и кремниевой электроники.