Новые полупроводниковые материалы и низкоразмерные структуры для радиофотоники, СВЧ-электроники, фото- и наноэлектроники

Проект направлен на создание, изучение и численное моделирование перспективных материалов и низкоразмерных структур. Планируется исследовать процессы синтеза гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) полупроводниковых материалов А3В5 и их твердых растворов методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), разработать конструкции и технологии выращивания методом МЛЭ структур для приборных применений. Приборные применения рассматриваемых технологических подходов направлены на разработку и изготовление метаморфных и псевдоморфных ГЭС для создания транзисторов СВЧ- и КВЧ-диапазонов, ГЭС для ИК фотоприемников различных диапазонов длин волн, ГЭС как для дискретных элементов электронной компонентной базы радифотоники, так и для фотонных интегральных схем. Особое внимание будет уделено исследованию свойств гибридных перовскитов в связи с перспективами применения их в различных оптоэлектронных устройствах, а также оксидов переходных металлов перспективных для создания принципиально новых энергонезависимых элементов памяти, теплочувствительных слоёв для фотоники и устройств нейроморфной электроники.