НИОКТР
№ 125060206591-5Комплекс исследований, направленных на разработку кремниевых широкополосных СВЧ ИС для систем связи и радиолокации, а также для волоконно-оптических систем передачи данных.
01.04.2025
За рубежом происходит интенсивная замена GaAs ИС на многофункциональные высокоинтегрированные радиочастотные (РЧ) КМОП/КНИ ИС и системы на кристалле (СнК) с цифровым управлением. Это позволяет получить ряд преимуществ по сравнению с А3В5 технологиями:
1) возможность реализации функций обработки аналоговых и цифровых сигналов на одном кристалле, т.е. реализовать концепцию СнК;
2) меньшие размеры компонентов, снижение габаритов, реализация многоканальных ППМ на одном кристалле;
3) кремниевые СВЧ ИС потребляют гораздо меньшую мощность и на порядок дешевле ИС на основе А3В5.
Недостатком РЧ КМОП технологий на объемном кремнии являются большие потери СВЧ сигнала в кремниевой подложке, большой коэффициент шума и низкое значение выходной мощности. В технологиях КМОП КНИ данные недостатки частично преодолеваются.
Существующие отечественные кремниевые технологии с точки зрения применений в СВЧ диапазоне недостаточно охарактеризованы, а существующие модели не обладают достаточной точностью. Поэтому для разработки многофункциональных кремниевых ИС актуальным является вопрос построения СВЧ моделей для пассивных и активных устройств, изготовленных на основе КМОП/КНИ техпроцесса
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.14.13 Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
ЭМС
КМОП
КНИ
многофункциональные и сверхширокополосные ИС
СВЧ/оптические приемопередатчики
Детали
Начало
01.01.2025
Окончание
31.12.2027
№ контракта
075-03-2025-383/1
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 51 882 698 ₽
Похожие документы
Исследование и разработка элементов высокоинтегрированных приемных модулей К-диапазона типа "Система на кристалле", выполняемых по кремниевым наногетерструктурным технологиям, для систем связи
0.934
НИОКТР
Проектирование кремниевых радиочастотных микросхем и фотонных интегральных схем
0.916
НИОКТР
КОМПЛЕКС ИССЛЕДОВАНИЙ, НАПРАВЛЕННЫХ НА РАЗРАБОТКУ НА ОСНОВЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ КРЕМНИЕВЫХ И А3В5-ТЕХНОЛОГИЙ КОМПЛЕКТОВ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ БЛОКОВ РАДИОЧАСТОТНЫХ АНАЛОГОВЫХ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИС ДЛЯ СВЧ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКОВ В ЧАСТОТНЫХ ПОДДИАПАЗОНАХ L, S И KU ДЛЯ СИСТЕМ СВЯЗИ, РАДИОЛОКАЦИИ, АФАР И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
0.911
ИКРБС
КОМПЛЕКС ИССЛЕДОВАНИЙ, НАПРАВЛЕННЫХ НА РАЗРАБОТКУ НА ОСНОВЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ КРЕМНИЕВЫХ И А3В5-ТЕХНОЛОГИЙ КОМПЛЕКТОВ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ БЛОКОВ (СФБ) РАДИОЧАСТОТНЫХ (РЧ) АНАЛОГОВЫХ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИС ДЛЯ СВЧ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКОВ В ЧАСТОТНЫХ ПОДДИАПАЗОНАХ L, S И KU ДЛЯ СИСТЕМ СВЯЗИ, РАДИОЛОКАЦИИ, АФАР И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
0.906
ИКРБС
Разработка ключевых элементов технологий изготовления и моделирования СВЧ, фотонных и фотонно-электронных интегральных схем на базе полупроводниковых материалов "кремний на изоляторе" и SiGe, а также радиочастотных и оптоэлектронных модулей на этой основе
0.905
НИОКТР
Разработка ключевых элементов технологий изготовления и моделирования СВЧ, фотонных и фотонно-электронных интегральных схем на базе полупроводниковых материалов "кремний на изоляторе" и SiGe, а также радиочастотных и оптоэлектронных модулей на этой основе
0.905
НИОКТР
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов свч-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.905
ИКРБС
КОМПЛЕКС ИССЛЕДОВАНИЙ, НАПРАВЛЕННЫХ НА РАЗРАБОТКУ НА ОСНОВЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ КРЕМНИЕВЫХ И А3В5-ТЕХНОЛОГИЙ КОМПЛЕКТОВ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ БЛОКОВ РАДИОЧАСТОТНЫХ АНАЛОГОВЫХ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ИС ДЛЯ СВЧ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИКОВ В ЧАСТОТНЫХ ПОДДИАПАЗОНАХ L, S И KU ДЛЯ СИСТЕМ СВЯЗИ, РАДИОЛОКАЦИИ, АФАР И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ
0.904
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов СВЧ-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.904
ИКРБС
Разработка интегральной схемы микроволнового диапазона частот для диаграммообразующих модулей АФАР на основе кремниевой технологии (промежуточный, этап 2)
0.904
ИКРБС