Разработка подходов для создания источников мощных суб-нс лазерных импульсов в ИК области спектра на основе инжекционных полупроводниковых гетероструктур

В рамках исследований будет получен ряд новых экспериментальных и теоретических результатов в области физики полупроводниковых лазеров и многопереходных гетероструктур токовых ключей, характеризующих динамические процессы при генерации мощных лазерных импульсов суб-нс длительностей. Полученные решения должны быть реализованы в рамках эпитаксиальных и постростовых технологий, что потребует разработки подходов, направленных на реализацию возможности роста разрабатываемых гетероструктур, в том числе многопереходных структур, реализующих функцию сильноточного токового ключа. Полученные решения позволят создать новый класс интегральных компактных и эффективных источников мощного импульсного лазерного излучения, которые в последствии смогут быть использованы для широкого спектра практических приложений, в первую очередь – лазерных дальномеров, линий передачи информации в свободном пространстве, ЛИДАРов для автономных транспортных средств.