Плазмон-усиленная ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур

Целью проекта является реализация методов оптической нанодиагностики новых полупроводниковых структур и устройств для перспективной фотоники, опто- и наноэлектроники на основе плазмон-усиленной ближнепольной оптической спектроскопии, включая комбинационное рассеяние света и фотолюминесценцию с нанометровым пространственным разрешением (нано-КРС и нано-ФЛ), и установления их локальных фундаментальных свойств. Объектами исследования проекта являются - не изученные ранее отдельные коллоидные двумерные (2D) нанокристаллы на основе CdSe и ZnSe; эпитаксиальные 1D наноструктуры на основе материалов A3B5; монослойные покрытия дихалькогенидов металлов; монослойные и субмонослойные покрытия коллоидных нанокристаллов (НК) CdSe, для которых будут установлены основные закономерности плазмонного усиления. Принципиально важной задачей является установление природы локального резонансного усиления нано-ФЛ и нано-КРС полупроводниковыми НК в режиме так называемого "щелевого" плазмона, что позволит визуализовать сильно локализованные области нанометрового масштаба, локальные структурные дефекты полупроводниковых наноструктур и изучить их структурные и оптические свойства, установить природу дефектов, величину механических напряжений и т.д. В результате будет установлена взаимосвязь между локальными структурными и оптическими свойствами новых полупроводниковых и металлических наноструктур и определены механизмы усиления нано-КРС и нано-ФЛ полупроводниковыми наноструктурами разной размерности.