Изготовление металлических межсоединений.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления. Предложенный способ изготовления металлических межсоединений нанесением методом электронно-лучевого испарения нижнего слоя хрома толщиной 5-20 нм, со скоростью осаждения 0,1 нм/с, при давлении 10*-9 мм.рт.ст., затем слоя меди толщиной 450 нм, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, затем верхнего слоя хрома толщиной 5-30 нм, со скоростью осаждения 0,1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 400°C в атмосфере Ar-Н2 в течение 30 мин, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность. Технический результат: снижение сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.