СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС И ТЕПЛОВЫХ ПОСТОЯННЫХ ВРЕМЕНИ ПЕРЕХОД-КОРПУС КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ В СОСТАВЕ ЭЛЕКТРОННОГО

Способ измерения тепловых сопротивлений переход-корпус и тепловых постоянных времени переход-корпус кристаллов с двумя бескорпусными полупроводниковыми изделиями в качестве активных элементов, при котором на электронный модуль подают импульс греющей мощности одного уровня и длительности, охлаждают электронный модуль до начальной температуры, далее подают импульс греющей мощности другого уровня и длительности, измеряют приращения температуры активной области (поверхности) кристаллов полупроводниковых изделий, отличающийся тем, что в начале на электронный модуль подают первый импульс греющей мощности P01 длительностью tИ1≈tTn-к, где tTn-к - примерное значение тепловой постоянной времени переход-корпус кристаллов полупроводниковых изделий, измеряют приращения температуры ∆T11(tИ1) и ∆T21(tИ1) активной области (поверхности) кристалла первого и второго полупроводниковых изделий соответственно по отношению к начальной температуре, после окончания первого импульса греющей мощности в течение времени tохл≈(3-5)tИ1 электронный модуль оставляют выключенным для его охлаждения до начальной температуры, затем в момент времени t02 на электронный модуль подают импульс греющей мощности уровня Р02 длительностью tИ2≈(3-5)tTn-к и через интервал времени tИ1 измеряют приращения температуры ∆Т12(tИ1) и ∆T22(tИ1) активной области (поверхности) кристаллов первого и второго полупроводниковых изделий и ∆Т12(tИ2) и ∆T22(tИ2) - в момент окончания второго импульса греющей мощности, по результатам измерений рассчитывают тепловые постоянные времени переход-корпус tTn-k1 и tTn-k2 и тепловые сопротивления переход-корпус RT1 и RT2 первого и второго полупроводниковых изделий по формулам.